날짜 | 내용 |
---|---|
2012. 05 | 수차에 걸쳐 자본금을 3,488,252백만원으로 변경 |
2012. 04 | 상호를 에스케이하이닉스(주)로 변경 |
2012. 02 | 각자 대표이사 최태원 취임 |
2010. 06 | 중국 후공정 합작사 HITECH 설립 |
2010. 03 | 수차에 걸친 대표이사 변경으로 現 대표이사 권오철 취임 |
2001. 03 | 상호를 (주)하이닉스반도체로 변경 |
1999. 10 | 현대반도체(주)를 흡수합병 |
1996. 12 | 거래소 상장 |
1983. 02 | 상호를 현대전자산업(주)호 변경 |
1949. 10 | 반도체소자 제조 및 판매업을 목적으로 설립 |
구분 | 2015-12-31 | 2014-12-31 | 2013-12-31 |
---|---|---|---|
유동비율 | 177.3 | 179.6 | 234.1 |
매출액영업이익율 | 27 | 29.9 | 23.1 |
총자산회전율(회) | .7 | .7 | .7 |
부가가치율 | - | - | - |
총자산증가율 | 13.4 | 27.4 | 9.3 |
날짜 | 내용 |
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2012. 05 | 수차에 걸쳐 자본금을 3,488,252백만원으로 변경 |
2012. 04 | 상호를 에스케이하이닉스(주)로 변경 |
2012. 02 | 각자 대표이사 최태원 취임 |
2010. 06 | 중국 후공정 합작사 HITECH 설립 |
2010. 03 | 수차에 걸친 대표이사 변경으로 現 대표이사 권오철 취임 |
2001. 03 | 상호를 (주)하이닉스반도체로 변경 |
1999. 10 | 현대반도체(주)를 흡수합병 |
1996. 12 | 거래소 상장 |
1983. 02 | 상호를 현대전자산업(주)호 변경 |
1949. 10 | 반도체소자 제조 및 판매업을 목적으로 설립 |
구분 | 2015-12-31 | 2014-12-31 | 2013-12-31 |
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유동비율 | 177.3 | 179.6 | 234.1 |
매출액영업이익율 | 27 | 29.9 | 23.1 |
총자산회전율(회) | .7 | .7 | .7 |
부가가치율 | - | - | - |
총자산증가율 | 13.4 | 27.4 | 9.3 |